9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-8EWS16SLHM3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-8EWS16SLHM3参考价格$1.71000。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-8EWS16SLHM3封装/规格：Diodes-D-PAK-E3。您可以下载VS-8EWS16SLHM3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-8EWS12STRPBF是DIODE整流器1200V 8A DPAK，包括标准回收整流器产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起使用。数据表注释中显示了用于8EWS12STRRBF的零件别名，该8EWS12STRRPBF提供单位重量功能，例如0.009185盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及to-252-3中工作，DPak（2引线+接线片），SC-63封装盒，该设备也可用作表面安装型。此外，供应商设备包为D-PAK（TO-252AA），该设备采用单双阳极配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为50μa@1200V，电压正向Vf Max If为1.1V@8A，电压直流反向Vr Max为1200V（1.2kV），电流平均整流Io为8A，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为1200 V，Ir反向电流为50 uA，If正向电流为8 A，最大浪涌电流为200 A。
VS-8EWS12STRPBF是DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK，包括1200 V Vr反向电压，它们设计为以1.1V@8A电压正向Vf Max运行。如果数据表注释中显示了用于1200V（1.2KV）的电压直流反向Vr Max，提供1.1 V等Vf正向电压功能，单位重量设计为0.009185盎司，以及D-PAK（TO-252AA）供应商设备包，该设备也可用于标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该产品是标准回收整流器，该设备以8EWS12STRPBF零件别名提供，该设备具有Digi-ReelR替代包装，包装箱为TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装样式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为200 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为50 uA，如果正向电流为8 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为50μA@1200V，电流平均整流Io为8A，配置为单双阳极。
带有电路图的VS-8EWS12STRR-M3，包括8A电流平均整流Io，它们设计为在50μa@1200V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及to-252-3、DPak（2引线+接线片），SC-63包装箱，该设备也可以用作胶带和卷轴（TR）替代包装。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该设备采用D-PAK（TO-252AA）供应商设备包，该设备具有1200V（1.2kV）直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.1V@8A。
