9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的EGP51G-E3/C，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。EGP51G-E3/C参考价格为1.79000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division EGP51G-E3/C封装/规格：DIODE GEN PURP 400V 5A DO201AD。您可以下载EGP51G-E3/C英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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EGP50C-E3/73是DIODE GEN PURP 150V 5A GP20，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于磁带盒（TB）替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-201AA、DO-27、轴向，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计用于GP20，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为5μA@150V，该器件的电压正向Vf Max为950mV@5A。如果，该器件具有150V的电压反向Vr Max，电流平均整流Io为5A，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为95pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C。
EGP50CHE3/54是DIODE GEN PURP 150V 5A GP20，包括950mV@5A正向电压Vf Max。如果它们设计用于150V电压DC反向电压Vr Max，则数据表说明中显示了用于GP20的供应商设备包，其提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，系列设计用于SUPERECTIFIERR，以及50ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-201AA、DO-27，轴向，其工作温度结范围为-65°C~150°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@150V，电流平均整流Io为5A，电容Vr F为95pF@4V，1MHz。
EGP50CHE3/73是DIODE GEN PURP 150V 5A GP20，包括95pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于5A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@150V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-65°C~150°C，该设备也可以用作DO-201AA、DO-27、轴向包装箱。此外，包装为磁带盒（TB），该设备以50ns反向恢复时间trr提供，该设备具有系列的SUPERECTIERR，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为GP20，电压DC反向Vr最大值为150V，电压正向Vf最大值为950mV@5A。
EGP50D，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。EGP50D采用DIP封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
