9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的GB01SLT06-214，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GB01SLT06-214价格参考1.91000美元。GeneSiC半导体GB01SLT06-214封装/规格：DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA。您可以下载GB01SLT06-214英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GB01SLT12-214，带引脚细节，包括GB01SLT22系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，数据表注释中显示了用于DO-214AA、SMB的包装箱，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SMB（DO-214AB），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作碳化硅肖特基二极管型。此外，电流反向泄漏Vr在1200V时为10μA，该器件提供1.8V@1A电压正向Vf Max If，该器件具有1200V（1.2kV）电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为2.5A，电容Vr F为69pF@1V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
带有用户指南的GB01SLT06-214，其中包括2V@1A电压正向Vf Max，如果设计用于650V电压直流反向Vr Max，则供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-214AA，提供速度特性，如无恢复时间>500mA（Io），系列设计用于GB01SLT16，以及0ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为DO-214AA，SMB，其工作温度结范围为-55°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为碳化硅肖特基，电流反向泄漏Vr为10μa@6.5V，电流平均整流Io为1A（DC），电容Vr F为76pF@1V，1MHz。
GB01SHT12-CAL是肖特基二极管和整流器SiC 1200V 1A 225DegC Al Top和Au Bottom，包括华夫格封装，它们设计用于肖特基碳化硅二极管产品，系列如数据表注释所示，用于GB01SHT 2中，提供SiC等技术特性。
