9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-8EWS08STRL-M3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-8EWS08STRL-M3参考价格为3.12000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-8EWS08STRL-M3封装/规格：DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK。您可以下载VS-8EWS08STRL-M3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-8EWS08SPBF是DIODE RECTIFIER 800V 8A DPAK，包括标准回收整流器产品，它们设计用于管式包装，零件别名如数据表注释所示，用于8EWS08SPFF，提供单位重量功能，如0.009185盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63封装盒，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为TO-252（D-Pak），该设备采用单双阳极配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为50μa@800V，电压正向Vf Max If为1.1V@8A，电压直流反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为8A，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为800 V，Ir反向电流为50 uA，If正向电流为8 A，最大浪涌电流为200 A。
带有用户指南的VS-8EWL06NTRR-M3，包括2.4V@8A正向电压Vf Max。如果设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于D-PAK（to-252AA）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计为在FRED PtR下运行，以及25ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为TO-252-3，DPak（2引线+接线片），SC-63，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为50μa@600V，电流平均整流Io为8A。
VS-8EWS08S-M3是DIODE GEN PURP 800V 8A TO252AA，包括8A电流平均整流Io，它们设计为在50μa@800V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及to-252-3，DPak（2引线+接线片），SC-63包装盒，该设备也可以用作管包装。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该设备采用D-PAK（TO-252AA）供应商设备包提供，该设备具有800V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.1V@8A。
