9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SD101AW-HE3-08，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SD101AW-HE3-08参考价格为0.37000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SD101AW-HE3-08封装/规格：DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123。您可以下载SD101AW-HE3-08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SD101AWS-G3-08，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于肖特基二极管产品。数据表备注中显示了用于磁带和卷轴（TR）替代包装的包装，提供零件别名功能，如SD101AWS-M-G-08，单位重量设计为0.000152盎司，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可以用作SC-76、SOD-323封装盒。此外，该技术为Si，该器件为表面安装安装型，该器件具有供应商器件封装的SOD-323，配置为单一，速度为小信号=，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为200nA@50V，电压正向Vf Max If为1V@15mA，电压反向Vr Max为60V，电流平均整流Io为30mA（DC），反向恢复时间trr为1ns，电容Vr F为2pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~125°C，Pd功耗为150mW，其最大工作温度范围为+125 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1 V，Ir反向电流为200nA，If正向电流为30mA，Vrm重复反向电压为60V，Ifsm正向浪涌电流为2A，trr反向恢复时间为1ns。
SD101AWS-G3-18，带有用户指南，包括60 V Vrm重复反向电压，它们设计为以1V@15mA电压正向Vf Max运行。如果数据表注释中显示了用于60V的电压直流反向Vr Max，提供了1 V等Vf正向电压功能，单位重量设计为在0.000152盎司的范围内工作，以及1 ns trr反向恢复时间，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包装为SOD-323，该设备以小信号=速度提供，该设备具有自动AEC-Q101系列，反向恢复时间trr为1ns，产品为肖特基二极管，Pd功耗为150mW，零件别名为SD101AWS-V-G-18，包装为胶带和卷筒（TR）交替包装，包装箱为SC-76，SOD-323，它的工作温度结范围为-55°C~125°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55C，最大工作温度范围+125 C，Ir反向电流为200 nA，Ifsm正向浪涌电流为2 A，If正向电流为30 mA，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为200nA@50V，电流平均整流Io为30mA（DC），配置为单一，电容Vr F为2pF@0V，1MHz。
SD101AWS-GS08，带有VISHAY制造的电路图。SD101AWS-GS08采用SOD323封装，是IC芯片的一部分。
