9icnet为您提供由onsemi设计和生产的EGP10D，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。EGP10D价格参考值0.50000美元。onsemi EGP10D包装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL。您可以下载EGP10D英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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EGP10C-M3/54，带销细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于带卷（TR）替代包装包装，数据表注释中显示了用于DO-204AL、DO-41、轴向的包装盒，提供安装类型特征，如通孔，供应商设备包设计用于DO-204A L（DO-41），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为5μA@150V，该器件的电压正向Vf Max为950mV@1A。如果，该器件具有150V的电压反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为22pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C。
EGP10C-M3/73带有用户指南，包括950mV@1A电压正向Vf Max。如果设计为在150V电压直流反向Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-204AL（DO-41），提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及50ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带盒（TB）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度结范围为-65°C~150°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@150V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为22pF@4V，1MHz。
EGP10CHM3/73带有电路图，包括22pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@150V，提供标准等二极管类型功能，安装类型设计用于通孔，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该装置也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装箱。此外，包装为磁带盒（TB），该设备提供50ns反向恢复时间trr，该设备具有自动AEC-Q101系列，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包为DO-204AL（DO-41），直流反向电压Vr最大值为150V，正向电压Vf最大值为950mV@1A。
