9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SL04-E3-08，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SL04-E3-08参考价格为0.45000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SL04-E3-08封装/规格：DIODE SCHOTTKY 40V 1.1A DO219AB。您可以下载SL04-E3-08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SL03-GS08是DIODE SCHOTTKY 30V 1.1A DO219AB，包括肖特基二极管产品，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，数据表注释中显示了用于MBR0530PBF的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装样式功能，包装盒设计用于DO-219AB，以及Si技术，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-219AB（SMF），该设备为单配置，该设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为130μa@30V，电压正向Vf Max If为430mV@500mA，电压直流反向Vr Max为30V，电流平均整流Io为1.1A，它的工作温度结范围为125°C（最大值），最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压在0.5 A时为0.43 V，Ir反向电流为130 uA，如果正向电流为1.1 A，Vrm重复反向电压为30 V，Ifsm正向浪涌电流为40 A。
SL03-GS18是DIODE SCHOTTKY 30V DO219，包括30 V Vrm重复反向电压，它们设计为在450 V@1.1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于30V的电压直流反向Vr Max，其提供了0.5A时0.43 V的正向电压特性，技术设计为在Si中工作，以及DO-219AB（SMF）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为AEC-Q101汽车系列，该设备提供10ns反向恢复时间trr，该设备具有肖特基二极管产品，包装为胶带和卷轴（TR），包装箱为DO-219AB，其工作温度结范围为-55°C~175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+125℃，Ir反向电流为130 uA，Ifsm正向浪涌电流为40 A，If正向电流为1.1 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为130μA@30V，电流平均整流Io为1.1A，配置为单一。
SL03-M-18带有电路图，包括1.1A电流平均整流Io，它们设计为在130μa@30V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~175°C，以及DO-219AB封装外壳，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，反向恢复时间trr为10ns，该设备在汽车AEC-Q101系列中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为DO-219AB（SMF），电压DC反向Vr Max为30V，电压正向Vf Max If为450mV@1.1A。
SL03-M-08是DIODE SCHOTTKY 30V DO219-M，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计为表面安装安装型，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，供应商设备包设计为在DO-219AB（SMF）以及DO-219A B包装箱中工作，该设备也可以用作汽车、AEC-Q101系列。此外，正向电压Vf Max If为450mV@1.1A，该器件提供30V直流反向电压Vr Max，该器件具有130μa@30V电流反向泄漏Vr，其工作温度结范围为125°C（最大值），反向恢复时间trr为10ns，电流平均整流Io为1.1A。
