9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SBAS16LT3G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。SBAS16LT3G参考价格为0.35000美元。onsemi SBAS16LT3G包装/规格：DIODE GP 100V 200MA SOT23-3。您可以下载SBAS16LT3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SBAS16LT1G是DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3，提供表面安装等安装类型功能，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为1μA@100V，器件提供1.25V@150mA电压正向Vf Max。如果，器件具有75V电压反向Vr Max，电流平均整流Io为200mA（DC），反向恢复时间trr为6ns，电容Vr F为2pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
SBAS16HT3G，带有用户指南，包括1.25V@150mA电压正向Vf Max。如果设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了SOD-323中使用的供应商设备包，该设备包提供了小信号=、反向恢复时间trr等速度特性，设计为在6ns内工作，该器件也可以用作SC-76、SOD-323封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@100V，电流平均整流Io为200mA（DC），电容Vr F为2pF@0V，1MHz。
SBAS16HT1G是DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD323，包括2pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于200MA（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@75V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可用作SC-76、SOD-323封装外壳。此外，该封装为Digi-ReelR交替封装，该器件以6ns反向恢复时间trr提供，该器件具有小信号=速度，供应商器件封装为SOD-323，电压DC反向Vr Max为75V，电压正向Vf Max If为1.25V@150mA。
