9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ES1BHE3_A/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ES1BHE3_A/H参考价格为0.41000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ES1BHE3_A/H封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC。您可以下载ES1BHE3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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S1BHE3/5AT是DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于DO-214AC SMA封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如DO-214AA（SMA），速度设计用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作1μA@100V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，该器件提供100V电压直流反向Vr Max，该器件具有1A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为1.8μs，其工作温度结范围为-55°C~150°C。
S1BHE3/61T是DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC，包括1.1V@1A电压正向Vf Max。如果设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AC（SMA）的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为1.8μs，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@100V，电流平均整流Io为1A。
S1BG，电路图由LITEON制造。S1BG采用SMB封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
