9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的BAS16J，135，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。BAS16J，135参考价格0.22000美元。Nexperia USA Inc.BAS16J，135封装/规格：二极管GP 100V 250MA SOD323F。您可以下载BAS16J，135英文数据，引脚图，数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图，功能的应用电路图，电压，使用方法和教程。
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BAS16J是DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SC-90 SOD-323F封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如SOD-323F，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件也可以用作500nA@80V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.25V@150mA，该器件提供100V电压直流反向Vr Max，该器件具有250mA（DC）的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为4ns，电容Vr F为1.5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为150°C（最大值）。
BAS16HT3G是DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD323，包括1.25V@150mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在75V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于SOD-323的供应商设备包，该SOD-323提供速度特性，如小信号=、反向恢复时间trr设计为在6ns内工作，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作SC-76、SOD-323包装盒，其工作温度结范围为-55°C～150°C，该设备为表面安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@75V，电流平均整流Io为200mA（DC），而电容Vr F在0V、1MHz时为2pF。
BAS16HT1G是DIODE GEN PURP 85V 200MA SOD323，包括2pF@0V，1MHz电容Vr F，设计用于200MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@75V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可用作SC-76、SOD-323封装外壳。此外，包装为Digi-ReelR替代包装，该设备以6ns反向恢复时间trr提供，该设备具有小信号=速度，供应商设备包装为SOD-323，电压DC反向Vr Max为85V，电压正向Vf Max If为1.25V@150mA。
