9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VSSB410S-E3/52T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VSSB410S-E3/52T参考价格为0.48000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VSSB410S-E3/52T封装/规格：DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA。您可以下载VSSB410S-E3/52T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VSSB3L6S-M3/52T是DIODE SCHOTTKY 60V 2.6A DO214AA，包括TMBSR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）替代包装包装，数据表说明中显示了用于DO-214AA，SMB的包装箱，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于DO-214A（SMB），该器件还可以用作肖特基二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为1.2mA@60V，该器件的电压正向Vf Max为590mV@3A。如果，该器件具有60V的电压反向Vr Max，电流平均整流Io为2.6A，电容Vr F为358pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
带用户指南的VSSB3L6S-M3/5BT，包括590mV@3A正向电压Vf Max。如果它们设计为在60V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AA（SMB）的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于TMBSR，以及磁带和卷轴（TR）替代包装，该器件也可用作DO-214AA、SMB封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为1.2mA@60V，电流平均整流Io为2.6A，电容Vr F为358pF@4V，1MHz。
VSSB310S-E3/52T，带有VISHAY制造的电路图。VSSB310S-E3/52T采用SMC封装，是IC芯片的一部分。
