9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MURS120-E3/5BT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MURS120-E3/5BT参考价格为0.48000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MURS120-E3/5BT封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA。您可以下载MURS120-E3/5BT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MURS120/2带有引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计为与DO-214AA、SMB封装盒一起工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如DO-214AA（SMB），速度设计为在快速恢复=20mA（Io）下工作，以及标准二极管类型，该器件还可以用作2μA@200V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为875mV@1A，该器件提供200V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有2A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为35ns，其工作温度结范围为-65°C~175°C。
MURS120-13-F是DIODE GEN PURP 200V 1A SMB，包括875mV@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于SMB的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为在25ns内工作等速度功能，以及Digi-ReelR封装，该器件也可用作DO-214AA、SMB封装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为2μa@200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为27pF@4V，1MHz。
MURS120-E3/52T是DIODE GP 200V 1A DO214AA，包括单一配置，它们设计为在2 a下工作。如果数据表注释中显示了用于2 uA的正向电流、Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+175 C，最大浪涌电流设计为在40 a下工作，它的最小工作温度范围是-65 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，包装箱为SMB，设备采用卷筒包装，设备具有零件别名MURS120-E3/5BT，产品为超快恢复整流器，恢复时间为35ns，单位重量为0.006349oz，Vf正向电压为875mV，Vr反向电压为200V。
