9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-80APF12-M3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-80APF12-M3参考价格为12.16000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-80APF12-M3封装/规格：DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC。您可以下载VS-80APF12-M3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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VS-80APF10PBF是DIODE FAST REC 80A TO-247，包括管包装，它们设计用于80EPF10PBF零件别名，包装箱如数据表注释所示，用于TO-247-3，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包装设计用于TO-247AC，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为100μA@1000V，器件提供1.35V@80A电压正向Vf Max If，器件具有1000V（1kV）电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为80A，反向恢复时间trr为480ns，其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C。
带有用户指南的VS-80APF12-M3，包括1.35V@80A电压正向Vf Max。如果它们设计为在1200V（1.2kV）电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-247AC的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为480ns，该器件也可用作TO-247-3封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100μa@1200V，电流平均整流Io为80A。
带有电路图的VS-80APF10-M3，包括80A电流平均整流Io，它们设计为在100μa@1000V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型特征，如通孔，其工作温度结区范围为-40°C~150°C，以及to-247-3封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，反向恢复时间trr为480ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-247AC，电压DC反向Vr Max为1000V（1kV），电压正向Vf Max If为1.35V@80A。
