9icnet为您提供SMC二极管解决方案设计和生产的STF1560，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STF1560参考价格为0.94000美元。SMC二极管解决方案STF1560封装/规格：二极管肖特基60V ITO220AC。您可以下载STF1560英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STF140N8F7是MOSFET Nchanl 80 V 0035 Ohm典型64 A功率MOSFET，包括N沟道STripFET系列，它们设计用于管封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.011640 oz，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于to-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有35 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为44 ns，上升时间为51 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为64 a，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Vgs栅极-源极阈值电压为4.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为82ns，典型接通延迟时间为26ns，Qg栅极电荷为96nC。
STF14NM50N是MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如10.2 ns，典型的关闭延迟时间设计为42 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道MDmesh系列，该器件具有16 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为320 mOhms，Qg栅极电荷为27 nC，Pd功耗为25 W，封装为管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为12 A，下降时间为22 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STF13NM6N，带有ST制造的电路图。STF13MM6N采用TO220F封装，是IC芯片的一部分。
STF14NM65N是由ST制造的MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP。STF14MM65N提供TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH650V 12A-TO-220FP/N沟道650V 12A（Tc）30W（Tc）通孔TO-220FP。
