9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FSV12150V，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FSV12150V参考价格为0.96000美元。onsemi FSV12150V包装/规格：DIODE SCHOTTKY 150V 12A TO277-3。您可以下载FSV12150V英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FSV1060V带引脚细节，包括肖特基整流器产品，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.004007盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计为在to-277、3-PowerDFN以及Si技术中工作，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为TO-277-3，该设备采用单双阳极配置，该设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为220μa@60V，电压正向Vf Max If为520mV@10A，电压直流反向Vr Max为60V，电流平均整流Io为10A，电容Vr F为550pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55℃~150℃，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为470 mV，Vr反向电压为60 V，Ir反向电流为220 uA，如果正向电流为10 A，Vrm重复反向电压为60V，Ifsm正向浪涌电流为280A。
带用户指南的FSV12100V，包括100V Vrm重复反向电压，设计用于100V Vr反向电压，正向电压Vf Max If如数据表注释所示，用于670mV@12A，提供100V直流反向电压Vr Max功能，正向电压设计用于598mV，以及0.004007盎司单位重量，该器件也可以用作19.64ns trr反向恢复时间。此外，该技术为Si，该器件采用TO-277-3供应商器件封装，该器件的速度快速恢复=200mA（Io），系列为AEC-Q101，反向恢复时间trr为27.33ns，产品为肖特基整流器，封装为Digi-ReelR替代封装，封装盒为TO-277，3-PowerDFN，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55C，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为22.5 uA，Ifsm正向浪涌电流为220 A，如果正向电流为12 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为100μA@100V，电流平均整流Io为12A，配置为单一，电容Vr F为1124pF@4V，1MHz。
FSV12120V带电路图，包括单配置，它们设计用于12A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于25μa@120V，提供二极管类型的特性，如肖特基，如果正向电流设计为12A，以及220A Ifsm正向浪涌电流，该器件也可以用作5.5 uA Ir反向电流，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，该器件具有安装类型的表面安装，安装类型为SMD/SMT，其工作温度结范围为-55℃~150℃，封装盒为TO-277，3-PowerDFN，包装为Digi-ReelR替代包装，产品为肖特基整流器，系列为汽车AEC-Q101，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为TO-277-3，技术为Si，单位重量为0.004007 oz，Vf正向电压为739 mV，电压DC反向Vr Max为120V，电压正向Vf Max If为790mV@12A，Vr反向电压为120V，Vrm重复反向电压为120 V。
