9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ES1PDHM3/85A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ES1PDHM3/85A参考价格为0.49000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ES1PDHM3/85A封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA。您可以下载ES1PDHM3/85A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ES1PDHM3/84A是DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA，包括eSMPR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表说明所示，用于磁带和卷轴（TR），提供单位重量功能，如0.003739盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-220AA包装盒，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-220AA（SMP），该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，正向电压Vf Max If为920mV@1A，直流反向电压Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为25ns，电容Vr F为10pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-50 C，Vf正向电压为920 mV，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为30ns。
ES1PD-E3/85A是DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA，包括920mV@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在200V电压DC反向Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于DO-220AA（SMP）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计为在eSMPR中工作，以及25ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-220AA，其工作温度结范围为-55°C~150°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为10pF@4V，1MHz。
ES1PDHE3/85A是DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA，包括10pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可以用作DO-220AA封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，设备提供25ns反向恢复时间trr，设备具有系列eSMPR，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-220AA（SMP），电压DC反向Vr最大值为200V，电压正向Vf最大值为920mV@1A。
