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PMEG45U10EPDZ带有引脚细节,包括Digi-ReelR替代封装,它们设计用于3-SMD、扁平引线封装盒,技术如数据表注释所示,用于Si,提供表面安装等安装类型功能,供应商设备封装设计用于CFP15,以及快速恢复=20mA(Io)速度,该器件也可以用作肖特基二极管型。此外,电流反向泄漏Vr为600μA@45V,该器件提供490mV@10A正向电压Vf Max If,该器件具有45V的直流反向电压Vr Max,电流平均整流Io为10A,反向恢复时间trr为34ns,电容Vr F为1170pF@1V,1MHz,其工作温度结范围为150°C(Max),Pd功耗为3.1W,Vf正向电压为490mV,Ir反向电流为600uA,If正向电流为10A,Vrm重复反向电压为45V,Ifsm正向浪涌电流为180A。
PMEG45U10EPDAZ带有用户指南,包括490mV@10A正向电压Vf Max。如果设计为在45V电压DC反向电压Vr Max下运行,则数据表说明中显示了CFP15中使用的供应商设备包,该设备包提供快速恢复=20mA(Io)、反向恢复时间trr设计为16ns,以及磁带和卷轴(TR)封装,该器件也可用作3-SMD、扁平引线封装盒,其工作温度结范围为-55°C~150°C,该器件为表面安装安装型,该器件具有二极管型肖特基,电流反向泄漏Vr为20mA@10V,电流平均整流Io为10A,电容Vr F为1170pF@1V,1MHz。
PMEG6002EB,带有NXP制造的电路图。PMEG6002EB采用SOD523封装,是二极管、整流器-单体的一部分。