9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RMPG06JHE3_A/54，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RMPG06JHE3_A/54参考价格$0.51000。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RMPG06JHE3_A/54包装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1A MPG06。您可以下载RMPG06JHE3_A/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MPG06JHE3/73是DIODE GEN PURP 600V 1A MPG06，包括标准回收整流器产品，它们设计用于带盒（TB）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.007125盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于MPG06轴向以及通孔安装类型，该设备也可以用作MPG06供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的标准恢复速度大于500ns，大于200mA（Io），该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压直流反向Vr Max为600V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为600ns，电容Vr F为10pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为800 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为40 A，恢复时间为600ns。
带有用户指南的MPG06JHE3_A/100，包括1.1V@1A正向电压Vf Max，如果设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于MPG06的供应商设备包，该产品提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及600ns反向恢复时间trr，该设备还可以用作磁带盒（TB）封装。此外，封装外壳为MPG06，轴向，其工作温度结范围为-55°C~150°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为10pF@4V，1MHz。
MPG06JHE3_A/53带电路图，包括10pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μA@600V，具有标准型、安装型等二极管类型特征，设计用于通孔，它的工作温度范围为-55°C~150°C，该装置也可作为MPG06轴向封装外壳使用。此外，包装为磁带盒（TB），该设备提供600ns反向恢复时间trr，该设备具有AEC-Q101系列汽车，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包为MPG06，直流反向电压Vr最大值为600V，正向电压Vf最大值为1.1V@1A。
