9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5817-E3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5817-E3/73参考价格为0.49000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5817-E3/73封装/规格：DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL。您可以下载1N5817-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5817-E3/54是DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL，包括肖特基整流器产品，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，零件别名如数据表注释所示，用于1N5817TR，提供单位重量功能，如0.011711盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-204AL、DO-41轴向包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，安装类型为通孔，该器件在DO-204AL（DO-41）供应商器件包中提供，该器件具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为1mA@220V，电压正向Vf Max If为450mV@1A，电压反向Vr Max为20V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为125pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~125°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-65 C，在3.1 A时Vf正向电压为0.75 V，Ir反向电流为1000 uA，如果正向电流为1 A，Vrm重复反向电压为20V，Ifsm正向浪涌电流为25A。
1N5817-E3/53是DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL，包括20 V Vrm重复反向电压，它们设计为以750mV@3.1V电压正向Vf Max运行。如果数据表备注中显示了用于20V的电压直流反向Vr Max，该电压提供了0.75 V，3.1 a的正向电压特性，单位重量设计为0.011711盎司，以及Si技术，该设备也可以用作DO-204AL（DO-41）供应商设备包。此外，速度快恢复=200mA（Io），该设备为肖特基整流器产品，该设备具有包装带盒（TB），包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度结范围为-65°C ~ 125°C，安装类型为通孔，其最低工作温度范围为-65C，它的最大工作温度范围为+150 C，Ir反向电流为1000 uA，Ifsm正向浪涌电流为25 A，如果正向电流为1 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为1mA@220V，电流平均整流Io为1A，配置为单一，电容Vr F为125pF@4V，1MHz。
1N5817-B是二极管肖特基20V 1A DO41，包括110pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于单配置，电流平均整流Io如数据表注释所示，用于1A，提供电流反向泄漏Vr特性，如1mA@20V，二极管类型设计用于肖特基，以及1 a如果正向电流，该器件也可以用作25A Ifsm正向浪涌电流。此外，Ir反向电流为200 uA，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型为通孔，安装方式为通孔；工作温度结范围为-65°C~125°C，包装箱为DO-204AL，DO-41，轴向，包装为散装，产品为肖特基整流器，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包为DO-41，技术为Si，单位重量为0.010935 oz，在3.1A时Vf正向电压为0.75V，电压DC反向Vr Max为20V，电压正向Vf Max If为750mV@3A，Vrm重复反向电压为20V。
