9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的US1M-M3/61T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。US1M-M3/61T参考价格为0.44000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division US1M-M3/61T封装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC。您可以下载US1M-M3/61T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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US1MHE3_A/H，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，其工作温度范围为-55 C至+150 C，包装箱设计用于DO-214AC、SMA以及表面安装型，该设备也可以用作DO-214AC（SMA）供应商设备包。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该器件为标准二极管类型，该器件具有10μa@1000V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为1.7V@1A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为75ns，电容Vr F为10pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为1.7 V，Vr反向电压为1 kV，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为75 ns。
带用户指南的US1MHE3_A/I，包括1 kV Vr反向电压，它们设计为以1.7V@1A电压正向Vf Max运行。如果数据表注释中显示了1000V（1kV）中使用的电压DC反向Vr Max，提供了1.7 V等Vf正向电压特性，供应商设备包设计为在DO-214AC（SMA）中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该设备也可以用作汽车、AEC-Q101系列。此外，反向恢复时间trr为75ns，该设备以75ns恢复时间提供，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为胶带和卷轴（TR），包装箱为DO-214AC，SMA，其工作温度范围为-55℃至+150℃，其工作温度范围为-55℃至150℃，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μA@1000V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为10pF@4V，1MHz。
带电路图的US1M-M3/5AT，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在10μa@1000V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及DO-214AC、SMA封装外壳，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该设备在DO-214AC（SMA）供应商设备包中提供，该设备具有1000V（1kV）直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.7V@1A。
