9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GI504-E3/54，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GI504-E3/54参考价格0.50000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GI504-E3/54包装/规格：DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD。您可以下载GI504-E3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GI501-E3/73是DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD，包括标准回收整流器产品，它们设计用于带盒（TB）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.038801盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于DO-201AD，轴向，以及通孔安装类型，该设备也可以用作DO-201AD供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电压正向Vf Max If为1.1V@9.4A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为28pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-50°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-50 C，在9.4 A时Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为3 A，最大浪涌电流为100A，恢复时间为2000ns。
GI501-E3/54是DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD，包括100V Vr反向电压，它们设计为在1.1V@9.4A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了100V中使用的电压直流反向Vr Max，该100V提供了9.4 a时1.1 V的正向电压特性，单位重量设计为0.038801盎司，以及DO-201AD供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为2μs，该设备以2000 ns恢复时间提供，该设备具有产品的标准恢复整流器，包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为DO-201AD，轴向，其工作温度结范围为-50°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，它的最小工作温度范围为-50℃，最大浪涌电流为100 A，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为3 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@100V，电流平均整流Io为3A，配置为单一，电容Vr F为28pF@4V，1MHz。
GI502-E3/54是DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD，包括28pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于单配置，数据表中显示了用于3A的电流平均整流Io，提供电流反向泄漏Vr特性，如5μa@200V，二极管类型设计用于标准，以及3A如果正向电流，该设备也可作为5 uA Ir反向电流使用，其最大工作温度范围为+150℃，该设备提供100 A最大浪涌电流，其最小工作温度范围是-50℃，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其工作温度结范围为-50℃~150℃，包装箱为DO-201AD，轴向，包装为磁带和卷轴（TR），产品为标准恢复整流器，恢复时间为2000 ns，反向恢复时间trr为2μs，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包为DO-201AD，单位重量为0.038801 oz，电压直流反向Vr最大值为200V，电压正向Vf Max If为1.1V@9.4A，Vr反向电压为200V。
