9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BAT54WS-HE3-18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAT54WS-HE3-18参考价格为0.42000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BAT54WS-HE3-18封装/规格：DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323。您可以下载BAT54WS-HE3-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BAT54WS-G3-08带有引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于肖特基二极管产品。数据表备注中显示了用于磁带和卷轴（TR）替代包装的包装，提供零件别名功能，如BAT54WS-V-G-08，单位重量设计为0.000152盎司，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可以用作SC-76、SOD-323封装盒。此外，该技术为Si，该器件为表面安装安装型，该器件具有供应商器件封装的SOD-323，配置为单一，速度为小信号=，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为2μa@25V，电压正向Vf Max If为800mV@100mA，电压反向Vr Max为30V，电流平均整流Io为200mA（DC），反向恢复时间trr为5ns，电容Vr F为10pF@1V，1MHz，工作温度结范围为125°C（最大值），Pd功耗为150mW，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为800mV，Ir反向电流为2uA，If正向电流为200mA，Vrm重复反向电压为30V，Ifsm正向浪涌电流为600mA，trr反向恢复时间为5ns。
带有用户指南的BAT54WS-G3-18，包括30 V Vrm重复反向电压，它们设计为在800mV@100mA电压正向Vf Max的情况下工作。如果数据表说明中显示了用于30 V的电压直流反向Vr Max，提供了800 mV等Vf正向电压功能，单位重量设计为在0.000152盎司的范围内工作，以及5 ns trr反向恢复时间，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包为SOD-323，该设备以小信号=速度提供，该设备具有自动AEC-Q101系列，反向恢复时间trr为5ns，产品为肖特基二极管，Pd功耗为150mW，零件别名为BAT54WS-V-G-18，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为SC-76，SOD-323，它的工作温度结范围为125°C（最大值），安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+125 C，Ir反向电流为2 uA，Ifsm正向浪涌电流为600 mA，If正向电流为200 mA，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为2μA@25V，电流平均整流Io为200mA（DC），配置为单一，电容Vr F为10pF@1V，1MHz。
BAT54WS-HE3-08带有电路图，包括10pF@1V、1MHz电容Vr F，它们设计用于单二极管配置，电流平均整流Io如数据表注释所示，用于200mA（DC），提供电流反向泄漏Vr特性，如2μa@25V，二极管类型设计用于肖特基，以及200mA如果正向电流，该器件还可以用作600 mA Ifsm正向浪涌电流，其最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围是-55 C，该器件具有安装类型的表面安装，安装类型为SMD/SMT，其工作温度结范围为125°C（最大值），封装外壳为SC-76、SOD-323、，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，Pd功耗为150mW，产品为肖特基二极管，反向恢复时间trr为5ns，系列为Automotive，AEC-Q101，速度为小信号=，供应商设备包装为SOD-323，技术为Si，trr反向恢复时间为5 ns，单位重量为0.000152盎司，电压DC反向Vr Max为30V，电压正向Vf Max If为800mV@100mA，Vrm重复反向电压为30V。
