9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NRVB130LSFT1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NRVB130LSFT1G参考价格为0.52000美元。onsemi NRVB130LSFT1G包装/规格：DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD123FL。您可以下载NRVB130LSFT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NRVB1240MFST1G，带引脚细节，包括MBR1240MFS系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）交替包装包装，数据表注释中显示了用于8-PowerTDFN、5引线的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在5-DFN、8-SO扁平引线（5x6）中工作，该器件还可以用作肖特基二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为500μA@40V，该器件提供680mV@12A电压正向Vf Max。如果，该器件具有40V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为12A，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
带有用户指南的NRVB1240MFST3G，包括680mV@12A电压正向Vf Max。如果设计为在40V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于5-DFN、8-SO扁平导线（5x6）的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，除了磁带和卷轴（TR）交替封装外，该器件还可以用作8功率TDFN、5引线封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型肖特基二极管，电流反向泄漏Vr为500μa@40V，电流平均整流Io为12A。
带有电路图的NRVB120VLSFT1G，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在15mA@20V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-65°C~125°C，以及SOD-123F封装外壳，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，该系列为AEC-Q101汽车系列，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的SOD-123FL，电压DC反向Vr Max为20V，电压正向Vf Max If为300mV@1A。
