9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BAT43W-HE3-08，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAT43W-HE3-08参考价格$4.44000。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BAT43W-HE3-08封装/规格：DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123。您可以下载BAT43W-HE3-08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAT43W-G3-08带有引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于肖特基二极管产品。数据表备注中显示了用于磁带和卷轴（TR）替代包装的包装，该包装提供零件别名功能，如BAT43W-V-G-08，单位重量设计为0.000363盎司，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可用作SOD-123包装箱。此外，该技术为Si，该器件为表面安装安装型，该器件具有供应商器件封装的SOD-123，配置为单一，速度为小信号=，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为500nA@25V，电压正向Vf Max If为450mV@15mA，电压反向Vr Max为30V，电流平均整流Io为200mA（DC），反向恢复时间trr为5ns，电容Vr F为7pF@1V，1MHz，工作温度结范围为125°C（最大值），Pd功耗为200mW，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为450mV，Ir反向电流为0.5uA，If正向电流为200mA，Vrm重复反向电压为30V，Ifsm正向浪涌电流为4A，trr反向恢复时间为5ns。
带有用户指南的BAT43W-G3-18，包括30 V Vrm重复反向电压，它们设计为在450mV@15mA电压正向Vf Max的情况下工作。如果数据表说明中显示了用于30 V的电压直流反向Vr Max，提供了450 mV等Vf正向电压特性，单位重量设计为在0.000363盎司的范围内工作，以及5 ns trr反向恢复时间，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包装为SOD-123，该设备以小信号=速度提供，该设备具有自动AEC-Q101系列，反向恢复时间trr为5ns，产品为肖特基二极管，Pd功耗为200mW，零件别名为BAT43W-V-G-18，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为SOD-13，它的工作温度结范围为125°C（最大值），安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+125 C，Ir反向电流为0.5 uA，Ifsm正向浪涌电流为4 A，If正向电流为200 mA，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为500nA@25V，电流平均整流Io为200mA（DC），配置为单一，电容Vr F为7pF@1V，1MHz。
BAT43W-GS08，带有VISHAY制造的电路图。BAT43W-GS08采用SOD123封装，是IC芯片的一部分。
