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PMEG1201AESFYL是DIODE SCHOTTKY 12V 0.1A SOD962，包括肖特基整流器产品，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如2-XFDFN，技术设计为在Si中工作，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作DSN0603-2供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为2mA@12V，电压正向Vf Max If为200mV@30mA，电压直流反向Vr Max为12V，电流平均整流Io为100mA，反向恢复时间trr为2.2ns，电容Vr F为26pF@1V，1MHz，工作温度结范围为125°C（最大值），Pd功耗为950 mW，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为160 mV，Vr反向电压为12 V，Ir反向电流为240 uA，并且If正向电流为100mA，Vrm重复反向电压为12V，Ifsm正向浪涌电流为4A，trr反向恢复时间为2.2ns。
PMEG1030EJ，115是DIODE SCHOTTKY 10V 3A SOD323F，包括530mV@3A正向电压Vf Max。如果它们设计为在10V电压DC反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于SOD-323F的供应商设备包，其提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，SOD-323F包装箱，其工作温度结范围为150°C（最大值）。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有3mA@10V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为3A（DC），电容Vr F为85pF@1V，1MHz。
PMEG2002AESF，315，带电路图，包括25pF@1V，1MHz电容Vr F，它们设计用于200mA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于45μa@20V，提供肖特基等二极管类型功能，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为125°C（最大值），该设备也可用作2-XFDFN封装盒。此外，该封装为Digi-ReelR交替封装，该器件以1.9ns反向恢复时间trr提供，该器件的速度快速恢复=200mA（Io），供应商器件封装为DSN0603-2，电压DC反向Vr Max为20V，电压正向Vf Max If为420mV@200mA。
