9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的US1D-E3/5AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。US1D-E3/5AT价格参考值0.40000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division US1D-E3/5AT封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC。您可以下载US1D-E3/5AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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US1D-13-F是DIODE GEN PURP 200V 1A SMA，包括US1D系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.002258盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，其工作温度范围为-65℃至+150℃，该装置也可以用作DO-214AC、SMA包装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备在SMA供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为1V@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为20pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为50ns。
US1D-13是DIODE GEN PURP 200V 1A SMA，包括1V@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了SMA中使用的供应商设备包，该设备包提供速度特性，如快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为50ns，以及Digi-ReelR封装，该器件也可用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为20pF@4V，1MHz。
US1DB-13-F，电路图由DIODES制造。US1DB-13-F采用DO-214AA封装，是IC芯片的一部分。
