9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYV28-200-TR,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BYV28-200-TR价格参考1.48000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYV28-200-TR封装/规格:DIODE AVLANCHE 200V 3.5A SOD64。您可以下载BYV28-200-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BYV28-200-TAP是DIODE AVLANCHE 200V 3.5A SOD64,包括超快速回收整流器产品,它们设计用于切割胶带(CT)替代包装包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.030265盎司的包装,具有通孔等安装方式特征,包装箱设计用于SOD-64、轴向、,该器件也可以用作SOD-64供应商器件包。此外,该配置为单一配置,该设备提供快速恢复=200mA(Io)速度,该设备具有二极管型雪崩,电流反向泄漏Vr为1μa@200V,电压正向Vf Max If为1.1V@5A,电压直流反向Vr Max为200V,电流平均整流Io为3.5A,反向恢复时间trr为30ns,其工作温度结范围为-55℃~175℃,最大工作温度范围为+175℃,最小工作温度范围-55℃,Vf正向电压为1.1 V(5A),Vr反向电压为200 V,Ir反向电流为100 uA(220V),If正向电流为3.5 A,最大浪涌电流为90 A,恢复时间为30ns。
BYV28-200-RAS15-10和用户指南,其中包括1.1V@5A电压正向Vf Max。如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了SOD-64中使用的供应商设备包,该设备包提供快速恢复=20mA(Io)、反向恢复时间trr设计为在30ns内运行,该器件也可用作SOD-64轴向封装外壳,其工作温度结范围为-55°C~175°C,该器件为通孔安装型,该器件具有二极管雪崩型,电流反向泄漏Vr为1μa@200V,电流平均整流Io为3.5A。
BYV28-200-RA12.5-7,电路图由VISHAY制造。BYV28-200-RA12.5-7采用S0D-64封装,是IC芯片的一部分。