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DSK10E-AT1是DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于R-1（轴向）封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型设计用于标准，以及10μa@400V电流反向泄漏Vr，该设备也可以用作1.1V@1A正向电压Vf Max If。此外，直流反向电压Vr Max为400V，该设备提供1A电流平均整流Io，其工作温度结范围为150°C（最大值）。
DSK10E-BT是DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL，包括1.1V@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在400V电压直流反向Vr Max下工作，速度如数据表注释所示，用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），提供包装功能，如磁带和卷轴（TR），包装箱设计为在R-1（轴向）中工作，它的工作温度结范围为150°C（最大值），该设备也可用作通孔安装型。此外，二极管类型为标准型，该器件提供10μA@400V电流反向泄漏Vr，该器件具有1A的电流平均整流Io。
DSK10E是DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在400V电流反向泄漏Vr下工作10μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结域为150°C（最大值），以及R-1（轴向）封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该设备提供400V电压DC反向Vr Max，该设备具有1.1V@1A电压正向Vf Max If。
