9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的1N1186A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N1186A参考价格为11.78000美元。GeneSiC半导体1N1186A封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 40A DO5。您可以下载1N1186A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如1N1186A价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
1N1184R是DIODE GEN PURP REV 100V 35A DO5，包括1N1184系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如1.005308 oz，安装样式设计用于螺柱，以及DO-203AB、DO-5螺柱包装箱，该设备也可以用作底盘，螺柱安装安装类型。此外，供应商设备包为DO-5，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），该设备具有标准二极管型反向极性，电流反向泄漏Vr为10μa@50V，正向电压Vf Max If为1.2V@35A，直流反向电压Vr Max为100V，电流平均整流Io为35A，其工作温度结范围为-65°C~190°C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为35 A，最大浪涌电流为595 A。
1N1186是DIODE GEN PURP 200V 35A DO5，包括200V Vr反向电压，它们设计为在1.2V@35A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了200V中使用的电压直流反向Vr Max，提供1.1 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为1.005308盎司，以及DO-5供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该系列为1N1186，该装置在标准回收整流器产品中提供，该装置具有大量包装，包装箱为DO-203AB、DO-5、螺柱，其工作温度结范围为-65°C～190°C，安装类型为螺柱，安装类型是底盘、螺柱安装，最大浪涌电流为595A，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为35A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μA@50V，电流平均整流Io为35A。
1N1184RA是由IR制造的DIODE GEN PURP 100V 40A DO203AB。1N1184A可用于DO-203AB、DO-5、螺柱封装，是二极管、整流器-单体的一部分，并支持DIODE GENPURP 100A 40A DO203 AB、二极管开关100V 40B 2引脚DO-5。
