9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BAS383-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAS383-TR参考价格为0.44000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BAS383-TR封装/规格：DIODE SCHOTTKY 60V 30MA MICROMLF。您可以下载BAS383-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAS381-TR3是二极管肖特基40V 30MA MICROMLF，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计用于肖特基二极管产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.000423盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及2-SMD，无引线封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，安装类型为表面安装，该设备在MicroMELF供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为小信号=，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为200nA@40V，电压正向Vf Max If为1V@15mA，电压直流反向Vr Max为40V，电流平均整流Io为30mA，电容Vr F为1.6pF@1V，1MHz，其工作温度结范围为125°C（最大），其最大工作温度范围为+125 C，其最小工作温度范围是-65 C，在0.015 A时Vf正向电压为1 V，Ir反向电流为0.2 uA，如果正向电流为0.03 A，Vrm重复反向电压为40 V，Ifsm正向浪涌电流为0.5A。
BAS382-TR是DIODE SCHOTTKY 50V 30MA MICROMLF，包括50 V Vrm重复反向电压，它们设计为在15 mA电压下以1V的正向电压Vf Max运行。如果数据表备注中显示了用于50V的直流反向电压Vr Max，它提供了0.015 a时的1 V正向电压特性，该设备也可以用作MicroMELF供应商设备包。此外，速度为小信号=，该设备在汽车AEC-Q101系列中提供，该设备具有肖特基二极管产品，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为2-SMD，无引线，其工作温度结范围为125°C（最大值），安装样式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+125℃，Ir反向电流为0.2 uA，Ifsm正向浪涌电流为0.5 A，Ifs正向电流为0.03 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为200nA@50V，电流平均整流Io为30mA，配置为单一，电容Vr F为1.6pF@1V，1MHz。
BAS382-TR3是二极管肖特基50V 30MA MICROMLF，包括1.6pF@1V，1MHz电容Vr F，它们设计用于单一配置，电流平均整流Io如数据表注释所示，用于30MA，提供电流反向泄漏Vr特性，如200nA@50V，二极管类型设计用于肖特基，以及0.03 a如果正向电流，该器件也可以用作0.5A Ifsm正向浪涌电流。此外，Ir反向电流为0.2 uA，其最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围是-65 C，安装类型为表面安装，安装类型是SMD/SMT，其工作温度结范围为125°C（最大值），封装外壳为2-SMD，无引线，封装为胶带和卷轴（TR）交替封装，产品为肖特基二极管，系列为汽车AEC-Q101，速度为小信号=，供应商设备封装为MicroMELF，技术为Si，单位重量为0.000423 oz，正向电压为1 V（0.015 A），电压DC反向Vr Max为50V，正向电压Vf Max If为1V@15mA，Vrm重复反向电压为50V。
