9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-ETH0806-M3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-ETH0806-M3参考价格为1.16000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-ETH0806-M3封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2。您可以下载VS-ETH0806-M3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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VS-ETH0806FP-M3是DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2，包括FRED PtR系列，设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如0.081130盎司，安装样式设计用于通孔，以及FRED Pt商品名，该装置也可用作TO-220-2全包装包装箱。此外，安装类型为通孔，该设备采用TO-220-2全封装供应商设备包，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为12μa@600V，电压正向Vf Max If为2.65V@8A，电压反向Vr Max为600V，电流平均整流Io为8A，反向恢复时间trr为21ns，其工作温度结范围为-65°C~175°C，Vf正向电压为2V，Vr反向电压为600V，Ir反向电流为0.02uA，If正向电流为8A，最大浪涌电流为80A，恢复时间为21ns。
VS-ETF075Y60U带用户指南，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上1.93V@15V，75A Vce的情况下工作。数据表说明中显示了EMIPAK-2B中使用的供应商设备包，其提供功率最大值功能，如294W，包壳设计用于EMIPAK-2A，以及Yes NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为4.44nF@30V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽，集电器Ic最大值为109A，集电器截止值最大值为100μa，配置为三电平逆变器。
VS-ETF150Y65U带有电路图，包括三电平逆变器配置，它们设计为在100μa集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于142A，提供IGBT类型的功能，如沟槽，输入设计为标准工作，以及6.6nF@30V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用EMIPAK-2B封装盒提供，该器件最大功率为417W，供应商器件封装为EMIPAK-2A，最大Vge Ic上的Vce为2.06V@15V，100A，集电极-发射极击穿最大值为650V。
