9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BAW76-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAW76-TR价格参考值0.16000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BAW76-TR封装/规格：DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35。您可以下载BAW76-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAW76-TAP是DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计为与磁带盒（TB）替代包装一起使用，包装箱如数据表注释所示，用于DO-204AH、DO-35、轴向，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计为在DO-35中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为100nA@50V，器件提供1V@100mA电压正向Vf Max。如果，器件具有50V电压反向Vr Max，电流平均整流Io为300mA（DC），反向恢复时间trr为4ns，电容Vr F为2pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为175°C（Max）。
BAW76_T50R带用户指南，包括1V@100mA电压正向Vf Max。如果设计为在75V电压直流反向Vr Max下运行，则DO-35中使用的数据表说明中显示了供应商设备包，该设备包提供快速恢复=200mA（Io）、反向恢复时间trr设计为在4ns内运行，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度结范围为175°C（最大值），该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100nA@50V，电流平均整流Io为300mA，电容Vr F为2pF@0V，1MHz。
BAW76DB带有GS制造的电路图。BAW76DBDO-35封装，是IC芯片的一部分。
