9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BAW76-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAW76-TAP价格参考值0.16000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BAW76-TAP封装/规格：DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35。您可以下载BAW76-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BAW76_T50R带有引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于DO-204AH、DO-35、轴向封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如DO-35，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件也可以用作100nA@50V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1V@100mA，该器件提供75V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有300mA电流平均整流Io，反向恢复时间trr为4ns，电容Vr F为2pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为175°C（最大值）。
BAW76是DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35，包括1V@100mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在75V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-35的供应商设备包，该DO-35提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为4ns，以及散装包装，该器件也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度结范围为175°C（最大值），该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100nA@50V，电流平均整流Io为300mA，电容Vr F为2pF@0V，1MHz。
BAW76DB带有GS制造的电路图。BAW76DBDO-35封装，是IC芯片的一部分。
