9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NRVTS12100EMFST1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NRVTS12100EMFST1G参考价格为0.94000美元。onsemi NRVTS12100EMFST1G包装/规格：DIODE SCHOTTKY 100V 12A 5DFN。您可以下载NRVTS12100EMFST1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NRVTS12120EMFST1G，带有引脚细节，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）替代包装包装，数据表注释中显示了用于8-PowerTDFN、5引线的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在5-DFN、8-SO扁平引线（5x6）中工作，该器件还可以用作肖特基二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为55μA@120V，该器件的电压正向Vf Max为830mV@12A。如果，该器件具有120V的电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为12A，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
带有用户指南的NRVTS12120EMFST3G，包括830mV@12A正向电压Vf Max，如果设计为在120V电压DC反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了供应商设备包，用于5-DFN、8-SO扁平导线（5x6），提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101、，除了磁带和卷轴（TR）交替封装外，该器件还可以用作8功率TDFN、5引线封装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管肖特基型，电流反向泄漏Vr为55μa@120V，电流平均整流Io为12A。
带有电路图的NRVTS12120MFST1G，包括12A电流平均整流Io，它们设计为在75μa@120V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结区范围为-55°C~150°C，以及8-PowerTDFN，5引线封装外壳，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，该系列为AEC-Q101汽车系列，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有5-DFN、8-SO扁平引线（5x6）的供应商设备包，电压DC反向Vr Max为120V，电压正向Vf Max If为830mV@12A。
