9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RS1D-E3/5AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RS1D-E3/5AT参考价格为0.50000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RS1D-E3/5AT封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC。您可以下载RS1D-E3/5AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RS1DB-13-F是DIODE GEN PURP 200V 1A SMB，包括RS1DB系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表说明所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.003280盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AA，SMB包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SMB，该设备为单一配置，该设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为1.3V@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为150ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.3 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为150ns。
RS1D-13-F是DIODE GEN PURP 200V 1A SMA，包括200V Vr反向电压，它们设计为在1.3V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了200V中使用的电压直流反向Vr Max，提供1.3V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.002258盎司，以及SMA供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为RS1D，器件提供150ns反向恢复时间trr，器件具有150ns的恢复时间，产品为快速恢复整流器，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为DO-214AC，SMA，其工作温度结范围为-65°C~150°C，安装样式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-65 C，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@200V，电流平均整流Io为1A，配置为单一，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
RS1DB-13是DIODE GEN PURP 200V 1A SMB，包括15pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件也可用作DO-214AA、SMB封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供150ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为SMB，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.3V@1A。
