9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BY268TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BY268TR参考价格0.69000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BY268TR封装/规格：DIODE GEN PURP 1.4KV 800MA SOD57。您可以下载BY268TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BY255P-E3/54是DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD，包括标准回收整流器产品，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，零件别名如数据表注释所示，用于BY255P-E3/73，其提供单位重量功能，如0.038801盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-201AD，轴向包装箱，该装置也可作为通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-201AD，该设备以单配置提供，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@1300V，电压正向Vf Max If为1.1V@3A，电压直流反向Vr Max为1300V（1.3kV），电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为3μs，电容Vr F为40pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为1300 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为3A，最大浪涌电流为150A，恢复时间为3000ns。
BY255P-E3/73是DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD，包括1300 V Vr反向电压，它们设计为以1.1V@3A正向电压Vf Max运行。如果数据表注释中显示了用于1300V（1.3KV）的直流反向电压Vr Max，提供1.1 V等正向电压特性，单位重量设计为0.038801盎司，以及DO-201AD供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为3μs，该设备的恢复时间为3000 ns，该设备具有产品的标准恢复整流器，零件别名为BY255P-E3/54，包装为磁带盒（TB），包装箱为DO-201AD，轴向，其工作温度结区范围为-55°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为150 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为3 A，二极管类型为标准，反向泄漏电流Vr为5μA@1300V，电流平均整流Io为3A，配置为Single，电容Vr F为40pF@4V，1MHz。
BY268TAP是DIODE GEN PURP 1.4KV 800MA SOD57，包括单一配置，它们设计用于800MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于2μa@1400V，提供二极管类型功能，如标准，如果正向电流设计用于0.8A，以及2 uA Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+175℃。此外，最大浪涌电流为20 A，最小工作温度范围是-55℃，装置有一个安装型通孔，安装类型为通孔，其工作温度连接范围为-55℃~150℃，封装外壳为SOD-57，轴向，包装为磁带盒（TB）交替包装，产品为快速恢复整流器，恢复时间为400ns，反向恢复时间trr为400ns；速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为SOD-57，单位重量为0.013016 oz，0.4A时Vf正向电压为1.25V，电压DC反向Vr Max为1400V（1.4kV），电压正向Vf Max If为1.25V@400mA，Vr反向电压为1400V。
