9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BAV103-GS18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAV103-GS18参考价格为0.23000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BAV103-GS18封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80。您可以下载BAV103-GS18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAV102-TP是DIODE GEN 150V 200MA MINI MELF，包括BAV102系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表说明所示，用于Digi ReelR，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80以及表面安装型，该设备也可以用作迷你MELF供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备以小信号=速度提供，该设备具有二极管类型标准，电流反向泄漏Vr为100nA@150V，电压正向Vf Max If为1.25V@200mA，电压直流反向Vr Max为150V，电流平均整流Io为200mA，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为1.5pF@0V，1MHz，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.25 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为0.1 uA，如果正向电流为250 mA，最大浪涌电流为1 A，恢复时间为50 ns。
BAV102-GS18是DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD80，包括1V@100mA正向电压Vf Max。如果它们设计为在150V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于SOD-80 MiniMELF的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，以及50ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80，其工作温度结范围为125°C（最大值），器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为100nA@200V，电流平均整流Io为250mA（DC），电容Vr F为1.5pF@0V，1MHz。
BAV102-GS08是DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80，包括1.5pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于250MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于100nA@150V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为175°C（最大值），该器件也可以用作DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80封装盒。此外，包装为Digi-ReelR替代包装，设备提供50ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为SOD-80 MiniMELF，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1V@100mA。
BAV103和NXP制造的EDA/CAD模型。BAV103采用LL34封装，是IC芯片的一部分，二极管标准200V 200mA表面安装SOD-80，高速开关二极管。
