9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BAV102-GS18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAV102-GS18参考价格为0.23000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BAV102-GS18封装/规格：DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD80。您可以下载BAV102-GS18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAV102135是DIODE GEN PURP 150V 250MA LLDS，包括胶带和卷轴（TR）替代包装包装，它们设计用于DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80包装箱，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包功能，如LLDS；MiniMelf，Speed设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件也可以用作100nA@150V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.25V@200mA，该器件提供150V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有250mA（DC）电流平均整流Io，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为175°C（最大值）。
BAV102-GS08是DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80，包括1V@100mA电压正向Vf Max。如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于SOD-80 MiniMELF的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为50ns、，除了Digi-ReelR替代封装外，该器件还可以用作DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80封装盒，其工作温度结范围为175°C（最大值），该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100nA@150V，电流平均整流Io为250mA，电容Vr F在0V、1MHz时为1.5pF。
BAV102_D87Z带电路图，包括5pF@0V、1MHz电容Vr F，它们设计用于200mA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于100nA@150V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-65°C~200°C，该器件也可以用作DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供50ns反向恢复时间trr，设备具有小信号=速度，供应商设备包装为LL-34，直流反向电压Vr最大值为150V，正向电压Vf最大值为1.25V@200mA。
