9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BAS16WS-E3-18,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BAS16WS-E3-18参考价格为0.23000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BAS16WS-E3-18封装/规格:DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323。您可以下载BAS16WS-E3-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAS16WS-G3-18,带引脚细节,包括汽车AEC-Q101系列,它们设计为使用磁带和卷轴(TR)替代包装包装,包装箱如数据表注释所示,用于SC-76、SOD-323,提供表面安装等安装类型功能,供应商设备包设计为在SOD-323中工作,以及快速恢复=20mA(Io)速度,该器件也可以用作标准二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为1μA@75V,该器件提供1.25V@150mA电压正向Vf Max If,该器件具有75V电压直流反向Vr Max,电流平均整流Io为250mA,反向恢复时间trr为6ns,电容Vr F为2pF@0V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
BAS16WS-HE3-08,带用户指南,包括1.25V@150mA电压正向Vf Max,如果设计用于75V电压直流反向Vr Max,供应商设备包如SOD-323中使用的数据表说明所示,提供快速恢复=200mA(Io)等速度功能,系列设计用于汽车、AEC-Q101以及6ns反向恢复时间trr,该设备也可以用作胶带和卷筒(TR)替代包装包装。此外,封装外壳为SC-76、SOD-323,其工作温度结范围为-55°C~150°C,器件具有安装型表面安装,二极管类型为标准型,电流反向泄漏Vr为1μa@75V,电流平均整流Io为250mA,电容Vr F为2pF@0V,1MHz。
BAS16WS-GS08,带有VISHAY制造的电路图。BAS16WS-GS08在SOD323封装中提供,是IC芯片的一部分。