9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SS26HE3_A/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SS26HE3_A/H参考价格为0.57000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SS26HE3_A/H封装/规格：DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO214AA。您可以下载SS26HE3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SS26HE3/52T是DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO214AA，包括肖特基整流器产品，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006349盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于DO-214AA、SMB以及Si技术，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AA（SMB），该设备以单配置提供，该设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为400μa@60V，电压正向Vf Max If为700mV@2A，电压直流反向Vr Max为60V，电流平均整流Io为2A，它的工作温度结范围为-65°C~125°C，最大工作温度范围为+150°C，最小工作温度范围是-65°C，Vf正向电压为0.7 V，Ir反向电流为400 uA，如果正向电流为2 A，Vrm重复反向电压为60 V，Ifsm正向浪涌电流为75 A。
SS26HE3_A/H带有用户指南，包括700mV@2A电压正向Vf Max，如果设计为在60V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AA（SMB）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101、，除了磁带和卷轴（TR）交替包装外，该器件还可以用作DO-214AA、SMB封装盒，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管肖特基型，电流反向泄漏Vr为400μa@60V，电流平均整流Io为2A。
SS26HE3/5BT是二极管肖特基60V 2A DO214AA，包括2A电流平均整流Io，它们设计为在400μa@60V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-65°C~125°C，以及DO-214AA，SMB包装箱，该设备也可以用作Digi-ReelR包装。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该设备在DO-214AA（SMB）供应商设备包中提供，该设备具有60V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为700mV@2A。
