9icnet为您提供由Micro Commercial Co设计和生产的SK845L-TP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SK845L-TP参考价格0.74000美元。Micro Commercial Co SK845L-TP包装/规格：DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO214AB。您可以下载SK845L-TP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SK8403180L是MOSFET 30V N沟道功率MOSFET 3.3x3.25mm，包括SK8系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表说明所示，该SMD/SMT提供HSSO-8等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供19 W Pd功耗，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为6 ns，上升时间为6纳秒，Id连续漏电流为17 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为1.3V至3V，Rds导通漏极-源极电阻为6.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为39ns，典型接通延迟时间为8ns，Qg栅极电荷为10nC。
SK8403190L是MOSFET 30V N沟道功率MOSFET 3.3x3.25mm，包括1 V至3 V Vgs的栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于7 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如34 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为SK8，器件以3 ns上升时间提供，器件具有10 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为6.3 nC，Pd功耗为19 W，封装为卷轴式，封装外壳为HSSO-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-40 C，其最大工作温度范围为+85℃，Id连续漏电流为14 A，下降时间为4 ns，配置为单一。
SK845，带有MCC制造的电路图。SK845采用HSMC封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
