9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的GB01SLT12-252，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GB01SLT12-252参考价格为1.57000美元。GeneSiC半导体GB01SLT12-252封装/规格：二极管硅1.2KV 1A TO252。您可以下载GB01SLT12-252英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GB01SLT12-220是二极管肖特基1.2KV 1A TO220AC，包括GB01SLT22系列，它们设计用于肖特基碳化硅二极管产品，包装如数据表注释所示，用于管中，提供单位重量功能，如0.081130盎司，安装方式设计用于通孔，以及to-220-2封装盒，该器件也可以用作SiC技术。此外，安装类型为通孔，该器件在TO-220AC供应商器件包中提供，该器件的速度无恢复时间>500mA（Io），二极管类型为碳化硅肖特基，电流反向泄漏Vr为2μa@1200V，电压正向Vf Max If为1.8V@1A，电压直流反向Vr Max为1200V（1.2kV），电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为0ns，电容Vr F为69pF@1V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~175°C，Pd功耗为42W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.8 V，Ir反向电流为4 uA，并且If正向电流为1A，Vrm重复反向电压为1200V，Ifsm正向浪涌电流为10A，trr反向恢复时间为17ns。
带用户指南的GB01SLT12-214，包括1.8V@1A正向电压Vf Max，如果设计为在1200V（1.2kV）直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了SMB（DO-214AA）中使用的供应商设备包，该SMB提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该器件也可用作DO-214AA、SMB封装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型碳化硅肖特基，电流反向泄漏Vr为10μa@1200V，电流平均整流Io为2.5A，电容Vr F为69pF@1V，1MHz。
GB01SLT06-214带电路图，包括76pF@1V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr，如数据表注释所示，用于10μa@6.5V，提供二极管型功能，如碳化硅肖特基，安装型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件也可用作DO-214AA、SMB封装盒。此外，包装为Digi-ReelR替代包装，该设备以0ns反向恢复时间trr提供，该设备具有GB01SLT06系列，速度为无恢复时间>500mA（Io），供应商设备包装为DO-214AA，电压DC反向Vr Max为650V，电压正向Vf Max If为2V@1A。
