9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的P600D-E3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。P600D-E3/73参考价格$19.15。Vishay General Semiconductor-Diodes Division P600D-E3/73封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 6A P600。您可以下载P600D-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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P600D-E3/54是DIODE GEN PURP 200V 6A P600，包括P600x系列，设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供零件别名功能，如P600D-E3/73，单位重量设计为0.074075盎司，以及通孔安装样式，该装置也可用作P600轴向包装箱。此外，安装类型为通孔，该设备在P600供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为900mV@6A，电压反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为6A，反向恢复时间trr为2.5μs，电容Vr F为150pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-50°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-50 C，100A时Vf正向电压为1.3V，Vr反向电压为200V，并且Ir反向电流是5uA，并且如果正向电流是22A，并且最大浪涌电流是400A，并且恢复时间是2500ns。
带用户指南的P600D/4，包括900mV@6A电压正向Vf Max。如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了P600中使用的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为2.5μs，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可作为P600轴向封装外壳使用，其工作温度结范围为-50°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为6A，电容Vr F为150pF@4V，1MHz。
P600D是PANJIT制造的硅整流二极管。P600D采用R-6封装，是IC芯片的一部分，支持硅整流二极管。
