9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BAS16WS-HE3-18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAS16WS-HE3-18参考价格为0.24000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BAS16WS-HE3-18封装/规格：DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323。您可以下载BAS16WS-HE3-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BAS16WS-G3-18，带引脚细节，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于SC-76、SOD-323，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在SOD-323中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为1μA@75V，该器件提供1.25V@150mA电压正向Vf Max If，该器件具有75V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为250mA，反向恢复时间trr为6ns，电容Vr F为2pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
BAS16WS-HE3-08，带用户指南，包括1.25V@150mA电压正向Vf Max，如果设计用于75V电压直流反向Vr Max，供应商设备包如SOD-323中使用的数据表说明所示，提供快速恢复=200mA（Io）等速度功能，系列设计用于汽车、AEC-Q101以及6ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为SC-76、SOD-323，其工作温度结范围为-55°C~150°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为1μa@75V，电流平均整流Io为250mA，电容Vr F为2pF@0V，1MHz。
BAS16WS-GS08，带有VISHAY制造的电路图。BAS16WS-GS08在SOD323封装中提供，是IC芯片的一部分。
