9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VSSC520S-M3/57T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VSSC520S-M3/57T参考价格为0.57000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VSSC520S-M3/57T封装/规格：DIODE SCHOTTKY 5A 200V DO-214AB。您可以下载VSSC520S-M3/57T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VSSB7L45-M3/52T，带引脚细节，包括TMBSR系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，数据表说明中显示了用于DO-214AA，SMB的包装箱，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于DO-214A（SMB），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作肖特基二极管型。此外，电流反向泄漏Vr为1.6mA@45V，该器件提供430mV@3.5A电压正向Vf Max。如果，该器件具有45V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为3.8A，电容Vr F为1068pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C。
带用户指南的VSSB7L45-M3/5BT，包括430mV@3.5A正向电压Vf Max。如果设计为在45V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AA（SMB）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于TMBSR以及磁带和卷轴（TR）包装，该器件也可用作DO-214AA、SMB封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为1.6mA@45V，电流平均整流Io为3.8A（DC），电容Vr F为1068pF@4V，1MHz。
VSSB520S-E3/52T，带有VISHAY制造的电路图。VSSB520S-E3/52T采用SMC封装，是IC芯片的一部分。
