9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SA2B-E3/61T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SA2B-E3/61T参考价格为0.41000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SA2B-E3/61T封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC。您可以下载SA2B-E3/61T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SA2B-E3/5AT是DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC，包括SAx系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供零件别名功能，如SA2B-E3/11T，单位重量设计为0.002258盎司，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可以用作DO-214AC、SMA包装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-214AC（SMA）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为3μa@100V，电压正向Vf Max If为1.1V@2A，电压反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为1.5μs，电容Vr F为11pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.1V，Vr反向电压为100V，Ir反向电流为3uA，如果正向电流为2A，最大浪涌电流为55A，恢复时间为1500ns。
SA28HE3/54是TVS DIODE 28VWM 50.1VC DO204AC，包括28V电压反向间隔类型，它们设计用于50.1V电压钳位最大Ipp，数据表注释中显示了31.1V中使用的最小电压击穿，提供单向信道功能，如1，类型设计用于齐纳，以及DO-204AC（DO-15）供应商设备包，该设备也可用于汽车、AEC-Q101、TransZorbR系列。此外，功率峰值脉冲为500W，该设备提供无电源线保护，该设备具有包装胶带和卷轴（TR），包装箱为DO-204AC、DO-15、轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），安装类型为通孔，电流峰值脉冲10 1000μs为10A，应用为汽车。
SA28HE3/73是TVS DIODE 28VWM 50.1VC DO204AC，包括汽车应用，设计用于10A电流峰值脉冲10 1000μs，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），包装箱设计用于DO-204AC、DO-15、轴向以及磁带盒（TB）包装，该设备也可以用作无电源线保护。此外，功率峰值脉冲为500W，该设备提供Automotive、AEC-Q101、TransZorbR系列，该设备具有DO-204AC（DO-15）供应商设备包，类型为齐纳，单向通道为1，电压击穿最小值为31.1V，电压钳位最大值Ipp为50.1V，电压反向间隔典型值为28V。
