9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GP30K-E3/54，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GP30K-E3/54价格参考1.31000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GP30K-E3/54封装/规格：DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD。您可以下载GP30K-E3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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GP30J-E3/73是DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带盒（TB）替代包装，提供部件别名功能，如GP30J-E3/54，单位重量设计为0.038801盎司，以及通孔安装类型，该装置也可用作DO-201AD轴向包装箱。此外，安装类型为通孔，该设备在DO-201AD供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，正向电压Vf Max If为1.1V@3A，直流反向电压Vr Max为600V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为5μs，工作温度结范围为-65℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-65℃，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为3A，最大浪涌电流为125A，恢复时间为5000ns。
GP30JHE3/54是DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD，包括1.1V@3A正向电压Vf Max。如果它们设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了DO-201AD中使用的供应商设备包，该设备包提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），该系列设计为在SUPERECTIERR中工作，除了5μs反向恢复时间trr，该设备还可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-201AD，轴向，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，电流平均整流Io为3A。
GP30JHE3/73是二极管GEN PURP 600V 3A DO201AD，包括3A电流平均整流Io，它们设计为在600V电流反向泄漏Vr下工作5μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-201AD，轴向包装盒，该设备也可以用作磁带盒（TB）包装。此外，反向恢复时间trr为5μs，该设备采用SUPERECTIFIERR系列，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商设备包为DO-201AD，直流反向电压Vr最大值为600V，正向电压Vf最大值为1.1V@3A。
