9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GP30G-E3/54，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GP30G-E3/54价格参考1.31000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GP30G-E3/54包装/规格：DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD。您可以下载GP30G-E3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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GP30DL-E3/72是DIODE GEN PURP 200V 3A，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供DO-201AD、轴向、安装类型等包装箱功能，设计用于通孔，以及DO-201AD供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，二极管类型为标准型，该器件提供5μA@200V电流反向泄漏Vr，该器件的正向电压Vf Max If为1.1V@3A，直流反向电压Vr Max为200V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为5μs，电容Vr F为40pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C，Vf正向电压为1.1V，Vr反向电压为200V，If正向电流为3A，恢复时间为5us。
GP30DLHE3/72是DIODE GEN PURP 200V 3A，包括1.1V@3A正向电压Vf Max。如果它们设计为在200V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-201AD的供应商设备包，其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io）。该系列设计用于汽车、AEC-Q101、，以及5μs反向恢复时间trr，该设备也可以用作散装包装。此外，封装外壳为DO-201AD，轴向，其工作温度结范围为-65°C~175°C，器件具有安装型通孔，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为40pF@4V，1MHz。
GP30G，带有VISHAY制造的电路图。GP30G在DO-201AD封装中提供，是二极管、整流器-单个的一部分。
