9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BAV303-TR3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAV303-TR3参考价格为0.29000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BAV303-TR3封装/规格：DIODE GP 200V 250MA MICROMELF。您可以下载BAV303-TR3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如BAV303-TR3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
BAV302-TR3是DIODE GEN 150V 250MA MICROMELF，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）交替包装包装，数据表注释中显示了用于2-SMD、无引线、提供表面安装等安装类型功能的包装盒，供应商设备包设计为在MICROMELF中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为100nA@150V，器件提供1V@100mA电压正向Vf Max。如果，器件具有150V电压反向Vr Max，电流平均整流Io为250mA（DC），反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为1.5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为175°C（Max）。
BAV303-TR是DIODE GEN 200V 250MA MICROMELF，包括1V@100mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于MICROMELF的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101、，以及50ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为2-SMD，无引线，其工作温度结范围为175°C（最大值），器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为100nA@200V，电流平均整流Io为250mA（DC），电容Vr F为1.5pF@0V，1MHz。
BAV303 T/R，电路图由PANJIT制造。BAV303 T/R采用SOD323封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
