9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的NSB8MT-E3/81，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NSB8MT-E3/81参考价格为1.11000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division NSB8MT-E3/81封装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB。您可以下载NSB8MT-E3/81英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NSB8MT-E3/45是DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB，包括标准回收整流器产品，它们设计为使用管交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+标签）、to-263AB、，该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外，该配置为单双阴极，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），该设备具有二极管类型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@1000V，电压正向Vf Max If为1.1V@8A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为8A，电容Vr F为55pF@4V，1MHz，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为1000 V，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为8 A，最大浪涌电流为125 A。
带有用户指南的NSB8KTHE3_A/P，包括1.1V@8A电压正向Vf Max。如果设计为在800V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-263AB的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io）。该系列设计用于汽车、AEC-Q101、，除了管交替封装外，该器件还可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@800V，电流平均整流Io为8A，电容Vr F为55pF@4V，1MHz。
NSB8MT，带有VIS制造的电路图。NSB8MT采用TO-263封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
